物料型号：
- 物料型号为MT45W4MW16B，这是一款64Mb的4 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory。
器件简介：
- 该器件是Micron公司的CellularRAM产品，专为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS PSRAM存储器。它支持异步、页面和突发操作模式，并且具有行业标准的突发模式Flash接口，显著提高了与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品的读写带宽。
引脚分配：
- 54球VFBGA封装的引脚分配在图1中有详细描述，包括地址输入A[21:0]、控制信号如OE#、CE#、WE#等，以及数据输入输出DQ[15:0]。
参数特性：
- 随机访问时间为70ns，工作电压VCC为1.70V至3.30V，VCCQ为1.70V至1.95V。页面模式读取访问时，页面大小为16个字，页面间读取访问时间为70ns，页面内读取访问时间为20ns。突发模式写入访问为连续突发，突发模式读取访问可以是4、8或16个字，或连续突发。
功能详解：
- 该器件支持异步、页面和突发操作模式，具有温度补偿刷新(TCR)、部分阵列刷新(PAR)和深功耗降低(DPD)模式等低功耗特性。
应用信息：
- 适用于低功耗、便携式应用，如无线通信设备等。
封装信息：
- 标准封装为54球VFBGA，也提供无铅版本。
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